2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[13p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

2016年9月13日(火) 13:15 〜 18:00 A26 (203-204)

川原田 洋(早大)、早瀬 潤子(慶大)、山崎 聡(産総研)

15:15 〜 15:30

[13p-A26-7] 表面酸化によるダイヤモンド中の浅いNVセンターのコヒーレンス特性

〇(B)河合 空1、山野 颯1、梶家 美貴1、加藤 かなみ1、蔭浦 泰資1、稲葉 優文1、岡田 拓真1、東又 格1、春山 盛善2,4、谷井 孝至1、山田 圭介2、小野田 忍2、寺地 徳之3、加田 渉4、花泉 修4、磯谷 順一5、川原田 洋1,6 (1.早大理工、2.量研機構、3.物材機構、4.群馬大、5.筑波大、6.早大材研)

キーワード:ダイヤモンド、NVセンター

ダイヤモンド表面近傍のNVセンターは、NVセンターの特徴である長いコヒーレンス時間が1桁減少する。本研究では、12Cを濃縮した高純度ダイヤモンド基板の表面近傍にイオン注入法によってNVセンターを作製し、その後、500℃程度での酸素雰囲気中のアニール処理を行った。その際の浅いNVセンターのコヒーレンス特性を報告する。