[13p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

△ [13p-A26-9] 高配向NVセンターデルタドープ薄膜を用いたNMR計測

〇石綿 整¹、田原 康佐^1,2、小澤 勇斗^1,2、岩崎 孝之^1,2、波多野 睦子^1,2 (1.東工大、2.CREST)

キーワード：カーボン系薄膜、NVセンター

タイヤモンドNVセンターは室温において電子スピン制御が可能な量子センサーであり、NMRへの応用が期待されている。センサーの磁気感度はNVセンター密度、配向、表面からの距離により決定することから、高密度なNVセンターをデルタドープ層として形成することが重要である。デルタドープ膜に関する先行研究において、高配向なNVセンターを有するデルタドープ薄膜の形成に関しては報告がない。NVセンターの配向制御には、(111)基板上へのCVD成長が有効であり、本研究では(111)基板においてステップフロー合成を実現し高配向なNVセンターを有するデルタドープ薄膜の作製を実現した。NMRの信号強度の変化を利用して有効なデルタドープ層の深さを計算したところ、20nm以下の領域に存在することを確認している。