[13p-A32-1~8] 薄膜・表面分野で活躍する女性研究者

[13p-A32-3] 量子化と歪みでシリコンはどこまで変わるのか？-基礎物性の立場から-

〇武田 さくら¹ (1.奈良先端大)

キーワード：シリコン、バンド分散、量子化と歪み

“古くさい半導体”、”シリコンのバンドなんて既によく知られている”というのがシリコンとその電子状態に対して本会参加者の多くが持つ印象ではないだろ うか。実際、シリコンのバンド分散については、60年前のk･p摂動法の開発やその後の第一原理計算の発展を通じおおよそのことが解明されている。しか し、MOSFETが極微細化され、更に量子化や歪みが導入されている現在、それら進化したシリコンのバンド分散について、改めて明らかにする必要がある。
本講演ではシリコン反転層中の量子化電子状態、及び歪みシリコンの電子状態について実験的に調べ、近年新たにわかったことを報告する。