[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

[13p-A35-5] Eu添加GaNにおけるEuイオン価数制御と磁気特性

〇布川 拓未¹、宮田 祐輔²、櫻井 敬博³、藤村 紀文²、太田 仁³、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.大府大院工、3.神大院理)

キーワード：GaN、Eu、磁性

GaN:Eu層の成長温度を700°Cとした場合に、全Euイオンのうち約55 %が2価に転じることを前回報告している。3価のEuイオンは磁気モーメントを有しないのに対して、2価のEuイオンはJ = 7/2の磁性モーメントを有する。既に700°C成長GaN:Euにおいて超常磁性が観測され、平均3.4個ずつのEu²⁺による磁気クラスタ(µ_{eff =} 24 µ_B)が確認されている。本研究では、ドナーの共添加および磁気抵抗測定から得られた知見を報告する。