[13p-A35-1~15] 13.9 光物性・発光デバイス

△ [13p-A35-8] VB法成長によるSi-GaAsバルクのスピン緩和

〇谷川 詩馬¹、飯田 真之¹、中村 芳樹¹、ショウ サンウ¹、中山 航¹、竹内 淳¹ (1.早大先進理工)

キーワード：スピン緩和、縦型ブリッジマン、SiドープGaAs

VB法で成長させた半導体結晶は転位密度が低いため、高輝度LEDや信頼性の高いレーザーに使われる。本研究では、VB法成長によるSiドープGaAsのスピン緩和過程を時間分解ポンププローブ法によって調べた。その結果、10 K, 50Kでは弱い励起光強度依存性が観測され、10 Kから300 Kでは負の温度依存性が観測された。本研究は、Ⅲ-Ⅴ族半導体におけるスピン緩和機構の解明に貢献し得うるという点で重要な意味を持つ。