[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [13p-B13-10] p型シリコン2重量子ドットにおけるパウリスピンブロッケード領域内漏れ電流の磁場依存性

〇山岡 裕¹、岩崎 一真¹、小田 俊理¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：シリコン、正孔、量子ドット