[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [13p-B13-11] シリコン量子ドットにおける表面酸化膜中電荷のコヒーレンス効果

〇(M2)前川 未知瑠¹、テノリオぺルル ハイメ¹、ヘルブスレブ エルンスト¹、山岡 裕¹、小寺 哲夫¹、小田 俊理¹ (1.東工大未来研,工学院電気電子系)

キーワード：シリコン、量子ドット、表面酸化膜中電荷