[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

[13p-B13-6] FinFET寄生抵抗ばらつきの解析：エクステンションドーピング条件の影響

〇松川 貴¹、森 貴洋¹、森田 行則¹、大塚 慎太郎¹、柳 永勛¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、昌原 明植¹ (1.産総研)

キーワード：FinFET、寄生抵抗、イオン注入

本稿では、多数のFinFETの寄生抵抗ばらつきを抽出し、エクステンションへのドーピング条件（異なるfin厚さ、注入イオン種)の影響を調査した結果を報告する。オン抵抗とゲートオーバードライブの逆数の関係より、個々のFinFETの寄生抵抗を抽出する。その結果、fin厚さを厚くすることで、また注入イオン種をAsからPにかえることで、ばらつきが抑えられることが分かった。