[13p-B13-1~12] 13.5 デバイス／集積化技術

△ [13p-B13-8] シリコン3重量子ドットの等価回路シミュレーション

〇平岡 宗一郎^1,2、堀部 浩介^1,2、小寺 哲夫^1,2、小田 俊理^1,2 (1.東工大　未来研、2.東工大　工学院電気電子系)

キーワード：シリコン、3重量子ドット

本研究室では既に、シリコン基板(SOI)上にエッチングにより物理的に量子ドットを形成することでシリコンTQDを作製することに成功している。今回設計した回路モデルを用いると、トンネル結合のキャパシタンスの値を変えることで、任意の3重量子ドットの電荷安定図をシミュレートできることが出来る。また、このモデルを用いて本TQDデバイスのシミュレーションを行い、各キャパシタンスの値を見積もることで、本TQDデバイスが設計通りの動作を行っていることを示した。