[13p-B5-1~15] 12.2 評価・基礎物性

[13p-B5-6] FI-TRMCにおける結晶性有機半導体界面の移動度の普遍性

〇清水 誠¹、齋藤 健吾¹、高橋 裕之¹、筒井 祐介²、崔 旭鎮²、関 修平² (1.富士フイルム、2.京大院工)

キーワード：時間分解マイクロ波伝導、移動度、有機半導体

結晶性低分子半導体C8-BTBTにおける正孔移動度をFI(field induced)-TRMCにより計測したところ、スピンコート/真空蒸着何れの成膜方法においても有意な差は認められなかった。交流電界による正孔の変位は小さく、結晶粒界の影響を無視出来るためと考えられる。この結果から、本手法は、結晶形さえ再現できれば、特定の絶縁層に対する材料固有のキャリア移動度を与えると考えられる。