[13p-B8-1~10] 古くて新しい点欠陥　～材料を越えた視点から見えてくるもの～

[13p-B8-5] 第一原理計算による半導体結晶中の真性点欠陥に関する研究

〇末岡 浩治¹ (1.岡山県大情報工)

キーワード：真性点欠陥、第一原理計算、半導体

最近10年間において半導体結晶中の真性点欠陥，すなわち原子空孔と自己格子間原子の物性や挙動の理解が大幅に進んでいる．この進歩は，第一原理計算法の成熟や計算機パワーの大幅な上昇に負うところが大きい．
本発表では，SiとGe結晶中の点欠陥研究において最も成功した第一原理計算の1つである密度汎関数法に注目し，計算の制約条件や注意点などを述べたうえで，実験と比較した計算のメリットについても述べる．さらに，大口径SiやGe結晶の高品位化へ寄与した実例を紹介することで，第一原理計算の有用性を共有する．