[13p-B9-1~11] 多元系化合物の機能性評価技術の新展開 ―多元系デバイス開発への知見提供―

△ [13p-B9-7] ハイブリッドバッファ層導入による高バンドギャップ・高効率Ag(In,Ga)Se₂薄膜太陽電池の開発

〇梅原 猛¹、小林 拓己²、中田 和吉³、山田 明³ (1.東工大院理工、2.東工大・工、3.東工大工学院)

キーワード：太陽電池、カルコパイライト型太陽電池

多接合太陽電池のトップセル材料候補であるAg(In,Ga)Se₂ (AIGS)薄膜太陽電池の高効率化に取り組んだ。CdS/AIGS間の伝導帯不連続量を測定したところクリフ構造であり、界面再結合による開放電圧低下が示唆された。改善策としてZnS(O,OH)を導入したがFFが低下した。デバイス解析により、FF低下の原因はZnO/ZnS(O,OH)界面にあることが分かった。そこで、両界面を改善するハイブリッドバッファ層を導入することで大幅な効率改善に成功した。