2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.4 薄膜新材料

[13p-D62-1~14] 6.4 薄膜新材料

2016年9月13日(火) 13:45 〜 17:30 D62 (万代島ビル6階D2)

土屋 哲男(産総研)、西川 雅美(長岡技科大)

15:45 〜 16:00

[13p-D62-8] 高温領域におけるCr-N薄膜ひずみセンサのゲージ率

丹羽 英二1 (1.電磁研)

キーワード:Cr-N薄膜、ゲージ率、高温

Cr-N薄膜は室温近傍で特性が温度に対し安定で、感度を示すゲージ率が既存金属箔ひずみゲージの6倍以上と大きく、次世代ひずみセンサとして期待されている。これまで明らかになっていないCr-N薄膜の100℃を超える高温域におけるゲージ率を調べた。その結果、その値は100℃を超えると急激に減少するが、450℃まで3.7以上の比較的大きな値を示すことがわかった。