[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-28] Direct growth of nanocarbon film on GaN surface by thermal CVD with lower temperature

〇Kou Aida¹, Takayoshi Enomoto¹, Hideki Arai¹, Kosuke Yokosawa¹, Kazuyoshi Ueno^1,2 (1.Shibaura Univ., 2.SIT Green Innov.Lab.)

Keywords:gallium nitride, nanocarbon, chemical vapor deposition

ナノカーボン(NC)材料の一つであるグラフェンは低抵抗で高信頼な配線材料として注目されている。デバイス電極への応用では、窒化ガリウム(GaN)を用いたLEDの電極として検討されている。従来の検討では主にグラフェンの剥離転写法が用いられているが、デバイス製造の観点から、GaN表面に直接形成することが望ましい。我々は先に、熱CVD法により基板温度900 ℃でのGaN表面へのNC膜の直接成長を報告したが、今回プロセス温度の低温化を検討した。