[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-28] 熱CVDによるGaN表面への直接ナノカーボン成長の低温化

〇相田 航¹、榎本 学祥¹、新井 秀樹¹、横澤 孝典¹、上野 和良^1,2 (1.芝浦大工、2.芝浦グリーン研)

キーワード：窒化ガリウム、ナノカーボン、化学気相成長

ナノカーボン(NC)材料の一つであるグラフェンは低抵抗で高信頼な配線材料として注目されている。デバイス電極への応用では、窒化ガリウム(GaN)を用いたLEDの電極として検討されている。従来の検討では主にグラフェンの剥離転写法が用いられているが、デバイス製造の観点から、GaN表面に直接形成することが望ましい。我々は先に、熱CVD法により基板温度900 ℃でのGaN表面へのNC膜の直接成長を報告したが、今回プロセス温度の低温化を検討した。