[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-32] SiC(0001)上のグラフェン成長の傾斜度依存性に関する理論的研究

〇奈良 純^1,2、山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2、大野 隆央^1,2,3 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東大生研)

キーワード：グラフェン、SiC、第一原理分子動力学

第一原理分子動力学法によりSi脱離法によるSiC上のグラフェンの成長について調べた。今回は傾斜度が成長2次元構造に与える影響について調べた。(0001)ファセットでは比較的平面的な構造が、(11-2n)ファセットでは湾曲した構造が得られた。