[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-48] Performance simulation of FET made of graphene-based lateral heterostructures

YUKI HASHIMOTO¹, KEISUKE ICHIHARA¹, MIKU TANAKA¹, KENJI SASAOKA¹, MATSUTO OGAWA¹, 〇SATOFUMI SOUMA¹ (1.Kobe Univ.)

Keywords:graphene, Device simulation

チャネル部分の電子が有限ギャップディラック分散に従うとし、ソース/ドレイン領域がギャップレスディラック分散とした場合に、そのバンドギャップ、フェルミ速度等がFETの特性に及ぼす影響を、非平衡グリーン関数とポアソン方程式の自己無撞着計算を用い、通常の半導体との比較の見地から調べた結果を報告する。