[13p-P5-1~64] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[13p-P5-56] Formation of 1D confining potential in MoS₂/WS₂-based heterostructures

〇(D)Yu Kobayashi¹, Shoji Yoshida², Ryuji Sakurada², Kengo Takashima³, Takahiro Yamamoto³, Tetsuki Saito¹, Satoru Konabe⁴, Takashi Taniguchi⁵, Kenji Watanabe⁵, Yutaka Maniwa¹, Osamu Takeuchi², Hidemi Shigekawa², Yasumitsu Miyata^1,6 (1.Tokyo Metropolitan Univ., 2.Univ. of Tsukuba, 3.Tokyo Univ. of Science, 4.RIST-TUS, 5.NIMS, 6.JST-PRESTO)

Keywords:transition metal dichalcogenides, Heterojunction, Semiconductor

本発表では，面内及び積層型MoS₂/WS₂ヘテロ構造，そして二層WS₂とMoS₂/WS₂積層構造の面内ヘテロ構造（二層ヘテロ構造）の電子状態について報告する。特に、二層ヘテロ構造の界面では電子状態の大きな変調が走査トンネル分光より観測されている。変調の理由として、伝導帯と価電子帯の両方が高電圧側へシフトしたことより、界面での固定電荷の存在が考えられる。円柱状電荷モデルで解析すると、伝導帯端の対数的な低下が再現でき、界面での固定電荷の存在が支持されている。これらの結果は，一次元界面における固定電荷が、ヘテロ界面での閉じ込めポテンシャル形成とキャリア蓄積に利用できることを意味しており、界面を利用した微細伝導チャネルの実現に繋がると期待される。