[13p-P5-1~64] 17 ナノカーボン（ポスター）

[13p-P5-56] WS₂/MoS₂ヘテロ構造における一次元閉じ込めポテンシャルの形成

〇(D)小林 佑¹、吉田 昭二²、櫻田 龍司²、高島 健悟³、山本 貴博³、斉藤 哲輝¹、小鍋 哲⁴、谷口 尚⁵、渡邊 賢司⁵、真庭 豊¹、武内 修²、重川 秀実²、宮田 耕充^1,6 (1.首都大理工、2.筑波大数理、3.東京理科大工、4.東京理科大総研、5.物材機構、6.JSTさきがけ)

キーワード：遷移金属ダイカルコゲナイド、ヘテロ接合、半導体

本発表では，面内及び積層型MoS₂/WS₂ヘテロ構造，そして二層WS₂とMoS₂/WS₂積層構造の面内ヘテロ構造（二層ヘテロ構造）の電子状態について報告する。特に、二層ヘテロ構造の界面では電子状態の大きな変調が走査トンネル分光より観測されている。変調の理由として、伝導帯と価電子帯の両方が高電圧側へシフトしたことより、界面での固定電荷の存在が考えられる。円柱状電荷モデルで解析すると、伝導帯端の対数的な低下が再現でき、界面での固定電荷の存在が支持されている。これらの結果は，一次元界面における固定電荷が、ヘテロ界面での閉じ込めポテンシャル形成とキャリア蓄積に利用できることを意味しており、界面を利用した微細伝導チャネルの実現に繋がると期待される。