[13p-P7-1~17] 6.4 Thin films and New materials

[13p-P7-13] Analysis of Vacancy Induced by Ion Implantation Using Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy

〇Shine Matsui¹, Yota Akashi¹, Atsushi Matsumoto², Koichi Akahane², Yuichi Matsushima³, Hiroshi Ishikawa¹, Katsuyuki Utaka¹ (1.Waseda Univ., 2.NICT, 3.Waseda Univ. GCS)

Keywords:Analysis of vacancy, Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy, Ion implantation

多重積層量子ドット構造(QD)の受動導波路化は有望な光機能素子の集積技術であり、これまでイオン注入を用いた組成混合(QDI)を検討してきた。最大約190 nmのフォトルミネッセンス波長ピークのシフトが確認されたが、組成混合で重要な役割を果たしていると考えられている点欠陥の分析は例がなかった。今回は陽電子消滅寿命測定(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy: PALS)を用いイオン注入により導入された欠陥の分析を行ったので報告する。