[13p-P7-1~17] 6.4 薄膜新材料

[13p-P7-13] 陽電子消滅寿命測定を用いたイオン注入による点欠陥の分析

〇松井 信衞¹、赤石 陽太¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード：点欠陥分析、陽電子消滅寿命測定、イオン注入

多重積層量子ドット構造(QD)の受動導波路化は有望な光機能素子の集積技術であり、これまでイオン注入を用いた組成混合(QDI)を検討してきた。最大約190 nmのフォトルミネッセンス波長ピークのシフトが確認されたが、組成混合で重要な役割を果たしていると考えられている点欠陥の分析は例がなかった。今回は陽電子消滅寿命測定(Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy: PALS)を用いイオン注入により導入された欠陥の分析を行ったので報告する。