[13p-P8-1~46] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[13p-P8-18] 半導体へのスピン注入へ向けたSrTiO₃基板上へのCo₂Fe_0.4Mn_0.6Si薄膜の作製

〇稲葉 仁¹、小池 剛央¹、大兼 幹彦¹、安藤 康夫¹ (1.東北大院工)

キーワード：ホイスラー合金

半導体へのスピン注入の高効率化のため, 強磁性電極にB2規則度以上で高いスピン分極率を持つHeusler合金Co₂Fe_0.4Mn_0.6Si(CFMS) を用いた半導体/MgO/CFMS構造を研究してきた。しかし, MgO絶縁層により, 高い面積抵抗が生じてしまうことが課題となっている。私は面積抵抗を抑制できる可能性のある絶縁材料としてSrTiO₃(STO)に注目した。本研究ではSTO基板上にCFMSを作製した。B2規則構造を持つCFMSがエピタキシャル成長していることが確認され, STOを絶縁層として使う上での指針を得た