[13p-P8-1~46] 10 スピントロニクス・マグネティクス(ポスター)

[13p-P8-19] ホイスラー合金Co_2-x(Fe_0.4Mn_0.6)_1+xSiを用いた強磁性トンネル接合の作製

〇堀内 伸一¹、大兼 幹彦¹、安藤 康夫¹ (1.東北大院工)

キーワード：強磁性トンネル接合、ホイスラー合金、トンネル磁気抵抗

強磁性トンネル接合(MTJ)素子における高いトンネル磁気抵抗(TMR)効果の実現のため、最近、ホイスラー合金のハーフメタル性を向上する目的で非化学量論組成のCo₂(Fe_αMn_β)Si_0.84を用いたMTJが作製され、高いTMR比が実現された。しかし、そのメカニズム等の詳細は不明であり、その検証を本研究の目的とした。Co_2-x(Fe_0.4Mn_0.6)_1+xSiの薄膜及びMTJを作製し、結晶性と表面平坦性を評価した。また、最適条件下で作製したMTJ素子のTMR比は室温において最大224%であった。