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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月14日(水) 08:45 〜 12:00 A21 (メインホールA)

太田実雄(東大)、尾沼猛儀(工学院大)

09:15 〜 09:30

[14a-A21-3] ＭＯＣＶＤ法によるＩｎＧａＮ/ＧａＮＭＱＷ構造上への
凹凸表面ｐ-ＧａＮ層の形成

〇森拓磨¹、堤達哉¹、加畑智基¹、三好実人¹、江川孝志¹ (1.名工大)

キーワード：窒化ガリウム