GaN基板上に作製されたMgイオン注入およびエピタキシャル成長Mg添加GaNのフォトルミネッセンス評価

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[14a-A21-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2016年9月14日(水) 08:45 〜 12:00 A21 (メインホールA)

太田実雄(東大)、尾沼猛儀(工学院大)

10:00 〜 10:15

〇小島一信¹、高島信也²、江戸雅晴²、上野勝典²、清水三聡³、高橋言緒³、石橋章司³、上殿明良⁴、秩父重英¹ (1.東北大多元研、2.富士電機(株)、3.産総研、4.筑波大学)

キーワード：p型GaN