[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

△ [14a-A23-10] Au / VDF-TrFE / 半導体 Si 接合 における分極誘起抵抗変化現象

〇榎本 尚人¹、中川 佑太¹、橋爪 洋一郎¹、中嶋 宇史¹、岡村 総一郎¹ (1.東理大理)

キーワード：分極誘起抵抗変化現象、強誘電性高分子、トンネル接合

近年、新たな不揮発性メモリとしてFerroelectric Tunneling Junction(FTJ)素子が注目されている。これまで我々は強誘電体層に高分子強誘電体VDF/TrFEを用い、Pt, Auを電極とするキャパシタ構造において分極誘起抵抗変化現象が現れる事を報告している。今回は下部電極に金属材料を用いず、半導体Siを用いてFTJ素子を作製し、評価を行ったのでその結果について報告する。