[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-A23-2] マルチフェロイックヘテロ構造のための面内強誘電分極エピタキシャル BaTiO₃ 薄膜

〇(PC)小松 克伊¹、鈴木 一平¹、青木 巧²、濵嵜 容丞¹、伊藤 満¹、谷山 智康¹ (1.東工大、2.TDK)

キーワード：強誘電体

以前の我々の研究では[Cu/Ni]多層膜/BaTiO₃ (BTO)基板において電場のみによる垂直磁化のスイッチングに成功した[1]。しかしながら、スイッチングには 100Ｖ以上の大きな電場を必要とした。本研究では、強磁性/強誘電性ヘテロ構造薄膜における電場磁化スイッチングを実現するため、スピネル基板 MgAl₂O₄ (001) (MAO)上にBTOをPLD法によりエピタキシャル成長させることで、明確な面内強誘電分極を実現した。この結果は、 BTO/MAO ヘテロ構造をマルチフェロイック薄膜ヘテロ構造に応用することで、より低電場での垂直から水平 磁気異方性へのスイッチングが可能となることを示している。 [1] Y. Shirahata, et al., NPG Asia Mater. 7, e198 (2015)