[14a-A23-1~10] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-A23-9] VDF/TeFE共重合体薄膜の非対称なドメインスイッチング特性

〇中川 佑太¹、榎本 尚人¹、橋爪 洋一郎¹、中嶋 宇史¹、Gruverman Alexei²、岡村 総一郎¹ (1.東理大理、2.ネブラスカ大学リンカーン校)

キーワード：強誘電体、薄膜、フッ化ビニリデン/四フッ化エチレン

本講演では、高分子強誘電体VDF/TeFE共重合体薄膜における非対称な反転ドメインスイッチング特性について発表する。圧電応答顕微法を用いて、電圧パルス印加による反転ドメイン形成の時間発展について検討を行った。その結果、印加電圧の極性により非対称なスイッチング特性が得られた。