[14a-A24-1~9] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[14a-A24-5] Potential-induced degradation of the passivation quality of SiN_x films

〇Naoyuki Nishikawa¹, Seira Yamaguchi¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.Jaist)

Keywords:n-Type Crystalline Silicon Solar Cells, Potential-induced degradation, passivation

電圧誘起劣化（PID）試験による窒化Si膜のパッシベーション性能の変化を、実効少数キャリア寿命（τeff）を指標として、直接観測することを試みた。両面パッシベーション（窒化Si膜）構造を有するモジュールを用いた-1000 VのPID試験において、τeffの低下を確認した。また、+1000 Vの電圧印加によるτeffの回復も確認した。本研究により、n型リアエミッター型結晶Si太陽電池の、PID試験による表面再結合の活性化を実証する結果が得られた。