[14a-A24-1~9] 16.3 シリコン系太陽電池

[14a-A24-5] SiN_x膜のパッシベーション性能の電圧誘起劣化

〇西川 斉志¹、山口 世力¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：n型結晶Si太陽電池、電圧誘起劣化、パッシベーション

電圧誘起劣化（PID）試験による窒化Si膜のパッシベーション性能の変化を、実効少数キャリア寿命（τeff）を指標として、直接観測することを試みた。両面パッシベーション（窒化Si膜）構造を有するモジュールを用いた-1000 VのPID試験において、τeffの低下を確認した。また、+1000 Vの電圧印加によるτeffの回復も確認した。本研究により、n型リアエミッター型結晶Si太陽電池の、PID試験による表面再結合の活性化を実証する結果が得られた。