[14a-A34-1~7] 13.10 化合物太陽電池

△ [14a-A34-3] ZnSnP₂バルク太陽電池の光電特性に裏面電極材料が与える影響

〇(D)中塚 滋¹、明里 駿祐²、Jakapan Chantana²、峯元 高志²、野瀬 嘉太郎¹ (1.京大院工、2.立命館大)

キーワード：化合物半導体、太陽電池

安価で安全な元素構成されるII-IV-V₂カルコパイライト型化合物ZnSnP₂は1.6eV程度の直接遷移型バンドギャップを持ち, 高い光吸収係数を有することから新たな太陽電池材料として期待される. 本研究では, 種々の裏面電極材料を用いたバルク太陽電池を作製し, その光電特性を比較することで最適なセル構造の探索を行った.