[14a-B11-1~7] 12.4 有機EL・トランジスタ

[14a-B11-4] 3端子容量－電圧測定によるペンタセン有機電界効果トランジスタのトラップ形成過程の評価

〇田中 有弥¹、山本 紘平²、野口 裕³、石井 久夫^1,2,4 (1.千葉大先進、2.千葉大院融合、3.明大理工、4.千葉大MCRC)

キーワード：有機電界効果トランジスタ、容量－電圧測定、劣化

我々は有機電界効果トランジスタ（OFETs）の駆動状態において電荷の挙動を評価できる3端子容量－電圧測定（TT-CV）を提案している。本研究ではTT-CVをOFETsに適用し、定電圧駆動による劣化機構を調べた。SiO₂上にC₄₄H₉₀層を有するペンタセンFETでは、トラップがソース電極下に形成され、閾電圧のシフトを引き起こすことが分かった。一方C₄₄H₉₀層がない場合大きなシフトが生じるが、これはソース・ドレイン両電極下へのトラップ形成によることが分かった。