[14a-B12-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

[14a-B12-11] イオンスパッタで形成したAlN薄膜の熱拡散率測定

〇池田 浩也^1,2、和波 雅也^1,2、太田 裕也¹、麻田 修平³、鈴木 悠平¹、橋本 修一郎³、松川 貴⁴、早川 泰弘^1,2、猪川 洋^1,2、下村 勝²、村上 健司²、渡邉 孝信³ (1.静大電研、2.静大院工、3.早大理工、4.産総研)

キーワード：熱拡散率、AlN

シリコンナノワイヤ熱電発電デバイスの熱伝導層として利用するAlN薄膜の熱拡散率を，ACカロリメトリ法により測定した．AlN/SiO₂/Si試料の熱拡散率は2.0x10^-4m²/sであり，基板として使用したSiO₂/Siの熱拡散率7.2x10^-4m²/sより低い値となった．この測定結果における基板の影響について，詳細な解析を進めている．