[14a-B3-1~10] CS.1 3.5レーザー装置・材料，3.14光制御デバイス・光ファイバーのコードシェアセッション

△ [14a-B3-10] 磁気ドメインを利用した薄膜Qスイッチレーザー

〇後藤 太一^1,2、森本 凌平¹、プリチャード ジョン³、高木 宏幸¹、中村 雄一¹、リム パンボイ¹、内田 裕久¹、ミナ マニ³、平等 拓範⁴、井上 光輝¹ (1.豊橋技科大、2.JSTさきがけ、3.アイオワ州立大、4.分子研)

キーワード：Qスイッチレーザー、磁気光学効果、磁気ドメイン

磁気ドメインの発生と消失により共振器内のQ値制御を用いることで，これまでにない短共振長の能動Qスイッチレーザーを示した。パルス幅27 ns，尖頭値約2.0 kWのQスイッチパルスを得た。他の能動Qスイッチと比較して3桁以上薄い磁気光学膜を利用した，全く異なる動作原理のQスイッチレーザーを開発した。