[14a-B4-1~5] 3.15 シリコンフォトニクス

[14a-B4-2] 櫛形PN接合型Si光変調器におけるイオン注入による横方向不純物分布の影響

〇(M2)武内 和治^1,2、韓 在勲^1,2、竹中 充^1,2、高木 信一^1,2 (1.東大院工、2.JST-CREST)

キーワード：シリコンフォトニクス、櫛形PN接合、光変調器

空乏型光変調器は高速動作が可能だが、変調効率の低さが課題となっている。我々は櫛形PN接合を用いた空乏型光変調器について、P N接合の繰り返し周期を短くすることで性能が改善できることを示したが、 実際には、イオン注入の際に不純物が横方向にも広がるため、理想通りのPN接合分布は実現できない。今回我々は、イオン注入時の不純物の横方向分布が櫛形PN接合型光変調器の変調特性に与える影響をシミュレーションにより計算したので報告する。