[14a-C41-7~12] 10.4 半導体・有機・光・量子スピントロニクス

[14a-C41-11] In-situ高分解能ARPESでみる(Ga,Mn)Asの価電子帯電子状態

〇相馬 清吾^1,4、Lin Chen¹、Rafal Oszwałdowski²、佐藤 宇史^3,4、松倉 文礼^1,4,5,6、Tomasz Dietl^1,4,7,8、大野 英男^1,4,5,6、高橋 隆^1,3,4 (1.東北大WPI、2.サウスダコタスクールM&T、3.東北大院理、4.東北大CSRN、5.東北大CSIS、6.東北大通研、7.ポーランド科学アカデミー、8.ワルシャワ大)

キーワード：希薄磁性半導体、光電子分光

強磁性半導体(Ga,Mn)Asは、多くのスピントロニクス新現象の実証に貢献してきたモデル物質であるが、強磁性機構の土台となるフェルミ準位近傍の電子構造が未だに決着していない。今回我々はTc~100Kの高ドープ試料についてin-situ高分解能ARPESを行い、フェルミ準位がAsホールバンド内にあることを見出した。この結果は、ホールキャリアが磁性を媒介するp-d Zenerモデルを強力に支持している。