[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-14] GaNヘテロ接合MIS-FETのノーマリオフ動作

〇南條 拓真¹、林田 哲郎¹、小山 英寿²、今井 章文¹、柳生 栄治¹、古川 彰彦¹、山向 幹雄¹ (1.三菱電機先端総研、2.三菱電機波光電)

キーワード：窒化物半導体、パワーデバイス、ノーマリオフ

エッチングプロセスを用いないシンプルなプレーナー構造のGaN系ヘテロ接合型のMIS-FETにおいて、ノーマリオフ動作を実現した。しきい値電圧は+4.5Vであり、また、60mA/mmのドレイン電流密度を得た。