[14a-P6-1~20] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-P6-19] ｍ面GaN上MOSFETの特性

〇上野 勝典¹、高島 信也¹、稲本 拓朗¹、松山 秀昭¹、江戸 雅晴¹、高橋 言緒³、清水 三聡³、中川 清和² (1.富士電機（株）、2.山梨大、3.産総研)

キーワード：GaN、MOSFET、m面

GaN系FETはGaNの優れた物性値から次世代の低損失パワースイッチング素子として期待されている。パワー用途でのスイッチングデバイス実現には絶縁ゲート駆動でノーマリオフ型が望まれており、近年は自立基板の普及に伴い縦型MOSFETの開発も検討され始めた。これらのFETデバイスにおいてGaN上の MOS界面の制御は、FETの特性を左右する重要な要素技術であることから、これまで応用物理学会にて自立基板GaN上に作製したSiO₂-MOSの界面特性や、MOSFETの初期特性について報告した。これまでの試作はc面上に形成したものであるが、今回は結晶方位の異なるm面上に形成し、その特性評価を行ったので報告する。