[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-20] Impedance Analyses of p-ch GaN MOS Structure on Polarization-Junction Substrate

〇(M1)Rumi Takayama¹, Takuya Hoshii¹, Akira Nakajima², Shinichi Nishizawa², Hiromichi Ohashi², Kuniyuki Kakushima¹, Hitoshi Wakabayashi¹, Kazuo Tsutsui¹ (1.tokyo tech, 2.AIST)

Keywords:AlGaN/GaN, complementary integrated circuit, p-ch HFET

GaNウエハ上P/N相補型駆動回路は、システム全体の小型化、高効率化に繋がると期待されている。先行研究でのAlGaN/GaN系の分極接合を用いたp-ch MOSFET素子では、基板バイアスの印加によりしきい値電圧制御だけでなく、ドレイン電流の大きな変化が観測されており、デバイス動作機構が十分に理解されていない。そこで本研究では、分極接合p-ch MOS構造についてインピーダンス測定を行い、等価回路としてY接続回路を採用し素子要素の解析を行った。