[14a-P6-1~20] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[14a-P6-4] Formation of NiO particles on n-GaN using metal-organic-decomposition (MOD) method(2)

〇Hirofumi Kida¹, Keisuke Ito¹, Yusuke Kumazaki¹, Taketomo Sato¹, Masachika Toguchi¹ (1.RCIQE, Hokkaido Univ.)

Keywords:photocatalysis, GaN, NiO

窒化ガリウム(GaN)は、光触媒材料として魅力的な特徴を有するが、陽極として用いる場合、電極自体が腐食する問題が報告されている。これを回避する有望な手法の１つとして、酸化ニッケル(NiO)助触媒をGaN表面に担持する取り組みがなされている。本研究では、金属有機化合物分解法(MOD法)を用いたGaN表面へのNiO微粒子の形成と光触媒特性の評価を行った。