[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-10] GaN高周波デバイスの現状

〇原 直紀¹、牧山 剛三¹ (1.富士通研)

キーワード：GaN、高周波デバイス

GaNはGaAsやSiと比較して、2倍以上の飽和電子速度、約10倍の絶縁破壊電界強度を有するため、増幅素子として20倍程度の出力密度が期待できる。また、熱伝導率の高いSiC基板を用いる場合は放熱性も良好で大出力増幅素子に適している。移動体通信基地局用途を中心に進められてきたGaN高周波デバイスの現状を述べる。