[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-12] P/N混載GaNパワー集積回路技術の現状

〇中島 昭¹、西澤 伸一¹、大橋 弘通¹、筒井 一生²、岩井 洋²、角嶋 邦之²、若林 整²、Unni Vineet³、Narayanan E. M. S.³ (1.産総研、2.東工大、3.Sheffield Univ.)

キーワード：窒化ガリウム、CMOS、2次元正孔ガス

GaNデバイスは、次世代パワー素子として注目されている。とくに、半導体基板上への集積化が可能な横型構造において、縦型SiCデバイスに匹敵する低オン抵抗が得られることがGaNデバイスの一つの特長である。我々はこの点に着目し、kWクラス変換器のワンチップ集積化を目指した研究開発を行ってきた。近年、我々は(1)集積化のプラットフォームとして2次元正孔ガスおよび2次元電子ガスを高濃度で共存させたGaNウエハ、(2)同ウエハ上へのpチャネルおよびnチャネルMOSFETの集積化技術、および(3)分極スーパージャンクション技術を用いた高耐圧GaNトランジスタおよびダイオードについて報告を行ってきた。本発表では、我々のこれまでの取り組みをまとめる。