[14p-A21-1~13] Recent Progress of Nitride Semiconductor -Toward Defectless Crystal and Devices-

[14p-A21-3] Novel Developments in Bulk GaN Growth

〇Yusuke Mori¹, Masayuki Imanishi¹, Masashi Yoshimura², Mamoru Imade¹ (1.Osaka University, 2.Institute of Laser Eng., Osaka University)

Keywords:Na Flux, point seed

Naフラックス法により、低転位GaN結晶を育成する方法としてポイントシード法を開発した。本方法では、テンプレート（GaN/Sapphire）上のGaN膜をエッチングし、ドット状に成型した微小GaN薄膜を種結晶として、個々の微小種結晶から成長したGaN結晶を結合させることで大口径化を目指す方法である。Naフラックス法特有の速い横方向成長を活用することにより、低転位化と大口径化が同時に実現できると期待されている。詳細は当日報告する。