2016年 第77回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体の最前線 -欠陥のない結晶・デバイスを目指して-

[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線 -欠陥のない結晶・デバイスを目指して-

2016年9月14日(水) 13:00 〜 19:00 A21 (メインホールA)

須田 淳(京大)、葛原 正明(福井大)、白石 賢二(名大)

13:45 〜 14:15

[14p-A21-3] GaNバルク結晶成長の新展開

森 勇介1、今西 正幸1、吉村 政志2、今出 完1 (1.大阪大学工学研究科、2.大阪大学レーザー研)

キーワード:Naフラックス法、ポイントシード

Naフラックス法により、低転位GaN結晶を育成する方法としてポイントシード法を開発した。本方法では、テンプレート(GaN/Sapphire)上のGaN膜をエッチングし、ドット状に成型した微小GaN薄膜を種結晶として、個々の微小種結晶から成長したGaN結晶を結合させることで大口径化を目指す方法である。Naフラックス法特有の速い横方向成長を活用することにより、低転位化と大口径化が同時に実現できると期待されている。詳細は当日報告する。