[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-3] GaNバルク結晶成長の新展開

〇森 勇介¹、今西 正幸¹、吉村 政志²、今出 完¹ (1.大阪大学工学研究科、2.大阪大学レーザー研)

キーワード：Naフラックス法、ポイントシード

Naフラックス法により、低転位GaN結晶を育成する方法としてポイントシード法を開発した。本方法では、テンプレート（GaN/Sapphire）上のGaN膜をエッチングし、ドット状に成型した微小GaN薄膜を種結晶として、個々の微小種結晶から成長したGaN結晶を結合させることで大口径化を目指す方法である。Naフラックス法特有の速い横方向成長を活用することにより、低転位化と大口径化が同時に実現できると期待されている。詳細は当日報告する。