[14p-A21-1~13] 窒化物半導体の最前線　－欠陥のない結晶・デバイスを目指して－

[14p-A21-5] GaN結晶成長シミュレーションの新展開：第一原理計算に基づくアプローチ

〇寒川 義裕^1,2、白石 賢二²、柿本 浩一¹ (1.九大応研、2.名大未来研)

キーワード：窒化物半導体、第一原理計算、有機金属気相成長

現在、電力変換損失の低減に向けてGaNを用いた低損失パワーデバイスの開発が進められている。本研究では、デバイス品質のGaN結晶成長に資する理論・シミュレーション手法を構築し、材料開発の加速に貢献することを目的とする。本講演では、第一原理計算に基づくアプローチと熱力学解析を組み合わせて構築した新たな理論解析手法の概要を説明し、窒化物半導体MOVPEにおける表面再構成と成長の駆動力の相関を議論する。