[14p-A25-1~21] 15.1 バルク結晶成長

[14p-A25-11] 国際宇宙ステーション内の長期微小重力環境下におけるGaSb(111)Ga面及びSb面種結晶からのInGaSb三元混晶結晶成長

〇早川 泰弘¹、Velu Nirmal Kumar¹、Mukannan Arivanandhan¹、小山 忠信¹、百瀬 与志美¹、阪田 薫穂²、小澤 哲夫³、岡野 泰則⁴、稲富 裕光² (1.静岡大電子研、2.宇宙航空研究開発機構、3.静岡理工科大、4.大阪大)

キーワード：国際宇宙ステーション、InGaSb三元混晶、結晶面方位

国際宇宙ステーション内の微小重力環境下でGaSb種結晶/InSb/GaSb供給原料から構成されるサンドイッチ構造試料を用いて、InGaSb混晶半導体の結晶成長実験を実施し、GaSb種結晶の面方位の相違が結晶溶解、成長過程に及ぼす効果を調べた。GaSb(111)B面の方が(111)A面よりも溶解しやすく、InGaSb結晶成長速度が大きいことがわかった。これは、GaSb(111)B面の方が(111)A面よりも原子結合数が少ないためであり、供給原料の溶解が結晶成長速度に影響を及ぼすことが示された。