[14p-A25-1~21] 15.1 バルク結晶成長

[14p-A25-4] 大気雰囲気中で育成したβ-Ga₂O₃ 単結晶の電気特性評価

〇加渡 幹尚¹、大葉 悦子²、小林 拓実²、中村 由夫²、干川 圭吾³ (1.トヨタ自動車、2.不二越機械工業、3.信州大工)

キーワード：ワイドギャップ半導体、単結晶育成

大気雰囲気中での垂直ブリッジマン法（VB法）によって得られたβ-Ga₂O₃単結晶基板の電気特性評価を行った。その結果、SnをドープしたVB法基板では市販のEFG法基板と同程度の抵抗率を示し、キャリア密度と移動度の関係についても、VB法基板は過去の報告やEFG法基板と同等のドーピング特性が得られた。VB法によるβ-Ga₂O₃単結晶育成における電気的特性制御の可能性が確認された。