[14p-A25-1~21] 15.1 バルク結晶成長

[14p-A25-7] 稀土類磁石MCZ-Si育成技術の提案

〇渡辺 雄太¹、西原 雄太¹、刈谷 宣政¹、青木 雅昭²、中島 幹彦²、岡 宏一³、赤崎 寿樹⁴、干川 圭吾⁴ (1.エム・セテック（株）、2.NEOMAX エンジニアリング（株）、3.高知工科大学、4.信州大学)

キーワード：シリコン、磁石、単結晶

PV用Si単結晶の低酸素濃度化、無転位成長の歩留まり向上などの視点から、LSI結晶では必須となっているMCZ技術導入への要求が強まっている。今回、ランニングコストがほぼゼロの希土類永久磁石適用MCZ（RMCZ)技術[1]を検討した。1/4スケ－ルモデルの磁石装置を設計・試作し、磁界強度分布の実測値と計算値とを整合させた。次に実用RMCZ装置へ拡張計算し、磁石材料の必要量と価格を試算し、RMCZ技術のPV用CZ-Si製造への適用可能性を考察した。