[14p-A26-1~16] 6.2 カーボン系薄膜

[14p-A26-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 3C-SiC(111)/Si(111)上への高配向ダイヤモンドのヘテロエピタキシャル成長

〇須藤 建瑠^1,2、矢板 潤也^1,2、岩崎 孝之^1,2、波多野 睦子^1,2 (1.東京工業大学、2.JST-CREST)

キーワード：ダイヤモンド、ヘテロエピタキシャル成長、薄膜