[14p-A26-1~16] 6.2 Carbon-based thin films

△ [14p-A26-10] Temperature dependence of operating charastaristics of C-H Diamond MOSFET

〇(B)Nobutaka Oi¹, Takuya Kudo¹, Tsubasa Muta¹, Daisuke Matsumura¹, Satoshi Okubo¹, Masafumi Inaba¹, Atsushi Hiraiwa¹, Hiroshi Kawarada^1,2 (1.Waseda Univ., 2.Waseda ZAIKEN)

Keywords:diamond, mosfet, semiconductor

ダイヤモンドのパワーデバイス応用において、高温動作特性は重要な指標である。これまで我々はダイヤモンド表面を水素終端化（C-H）することによって表面に誘起される2DHGをチャネルに利用したC-HダイヤモンドMOSFETを作製し、10~673 Kでの安定動作、高い絶縁破壊電圧特性を報告してきた。本研究では、厚いゲート絶縁膜のMOSFETを作製し、FET動作の温度依存性を評価し、C-HダイヤモンドMOSFETにおける特性変化を観測した。